STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET

Код товара RS: 485-7715Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP55NF06
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

44,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.15мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 402,30

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 011,50
10тг 3 263,10
15тг 4 894,65
20тг 6 347,40
25тг 7 934,25
30тг 9 521,10
35тг 11 107,95
40тг 12 694,80
45тг 14 281,65
50тг 15 645,00
55тг 17 209,50
60тг 18 774,00
65тг 20 338,50
70тг 21 903,00
75тг 23 467,50

тг 402,30

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 011,50
10тг 3 263,10
15тг 4 894,65
20тг 6 347,40
25тг 7 934,25
30тг 9 521,10
35тг 11 107,95
40тг 12 694,80
45тг 14 281,65
50тг 15 645,00
55тг 17 209,50
60тг 18 774,00
65тг 20 338,50
70тг 21 903,00
75тг 23 467,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 402,30тг 2 011,50
10 - 15тг 326,31тг 1 631,55
20 - 45тг 317,37тг 1 586,85
50 - 95тг 312,90тг 1 564,50
100+тг 250,32тг 1 251,60
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

44,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.15мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать