N-channel MOSFET,HUF75333P3 56A 55V
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
66 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
70 nC @ 20 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Высота
9.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
66 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
70 nC @ 20 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Высота
9.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.