МОП-транзисторы
MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals. It acts very similarly to a switc...
Вы просматриваете 1-20 из 11994 результатов
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
170mA
-
100V
-
SOT-23
BSS123WQ
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
6Ом
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
1.3V
-50°C
200mW
150°C
-
-
-
-
1мм
2.2мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
170mA
-
100V
-
SOT-23
BSS123WQ
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
6Ом
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
1.3V
-50°C
200mW
150°C
-
-
-
-
1мм
2.2мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
0.31A
-
50V
-
SOT-23
BSS138K
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
3.5Ом
-
Поднятие
-
-
-
0.95nC
-
-
1.2V
-50°C
0.54W
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
0.31A
-
50V
-
SOT-23
BSS138K
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
3.5Ом
-
Поднятие
-
-
-
0.95nC
-
-
1.2V
-50°C
0.54W
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
430mA
-
60V
-
SOT-23
DMN62D0U
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
3Ом
-
Поднятие
-
-
-
0.5nC
-
-
1.3V
-50°C
590mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
430mA
-
60V
-
SOT-23
DMN62D0U
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
3Ом
-
Поднятие
-
-
-
0.5nC
-
-
1.3V
-50°C
590mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
400mA
-
30V
-
SOT-23
DMN63D8L
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
3.8Ом
-
Поднятие
-
-
-
0.9nC
-
-
1.2V
-50°C
520mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
400mA
-
30V
-
SOT-23
DMN63D8L
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
3.8Ом
-
Поднятие
-
-
-
0.9nC
-
-
1.2V
-50°C
520mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
210mA
-
60V
-
SOT-23
DMN67D7L
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
7.5Ом
-
Поднятие
-
-
-
821pC
-
-
1.5V
-50°C
570mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
210mA
-
60V
-
SOT-23
DMN67D7L
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
7.5Ом
-
Поднятие
-
-
-
821pC
-
-
1.5V
-50°C
570mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
P-канальный
-
-0.27A
-
-100V
-
SOT-23
DMP10H4D2S
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
5Ом
-
Поднятие
-
-
-
1.8nC
-
-
-1.3V
-50°C
0.44W
150°C
-
-
-
-
1.15мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
P-канальный
-
-0.27A
-
-100V
-
SOT-23
DMP10H4D2S
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
5Ом
-
Поднятие
-
-
-
1.8nC
-
-
-1.3V
-50°C
0.44W
150°C
-
-
-
-
1.15мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
P-канальный
-
-600mA
-
-20V
-
SOT-23
DMP2004K
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
2Ом
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-1.2V
-50°C
550mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
DiodesZetex
-
МОП-транзистор
P-канальный
-
-600mA
-
-20V
-
SOT-23
DMP2004K
-
-
Поверхностный монтаж
3
-
-
2Ом
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-1.2V
-50°C
550mW
150°C
-
-
-
-
1.1мм
3мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
Infineon
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
64A
-
750V
-
PG-TO263-7
AIMBG75R
-
-
Сквозное отверстие
7
-
-
31mΩ
-
-
-
-
-
-
23V
-
-
-55°C
234W
175°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
Infineon
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
64A
-
750V
-
PG-TO263-7
AIMBG75R
-
-
Поверхностный монтаж
7
-
-
31mΩ
-
-
-
-
-
169нКл
23V
-
-
-55°C
234W
175°C
-
-
9.8 mm
RoHS
15мм
10.2мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
Infineon
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
64A
-
750V
-
PG-TO263-7
AIMBG75R
-
-
SMD
7
-
-
31mΩ
-
-
-
-
-
169нКл
23V
-
-
-55°C
234W
175°C
-
-
15 mm
RoHS
-
9.8мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
Infineon
-
МОП-транзистор
N-канальный
-
64A
-
750V
-
PG-TO263-7
AIMBG75R
-
-
Поверхностный монтаж
7
-
-
31mΩ
-
-
-
-
-
169нКл
23V
-
-
-55°C
234W
175°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
Infineon
-
МОП-транзистор
Тип N
-
64A
-
750V
-
PG-TO263-7
AIMBG75R
-
-
Поверхностный монтаж
7
-
-
31mΩ
-
-
-
-
-
169нКл
23V
-
-
-55°C
234W
175°C
-
-
10.2 mm
RoHS
15мм
10.2мм
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
Infineon
-
МОП-транзистор
Тип N
-
64A
-
750V
-
PG-TO263-7
AIMBG75R
-
-
Поверхностный монтаж
7
-
-
31mΩ
-
-
-
-
-
169нКл
23V
-
-
-55°C
234W
175°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AEC-Q101
-
-
-
...




