МОП-транзисторы

MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals. It acts very similarly to a switc...

Вы просматриваете 1-20 из 11952 результатов

Сортировать по:

Релевантности

Цене (от высокой к низкой)

Цене (от низкой к высокой)

Показать

20

40

60

Фильтр

Сортировка

Фильтр

Сортировка

Релевантности

Цене (от высокой к низкой)

Цене (от низкой к высокой)

Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 450 V, 8-Pin SO-8 STMicroelectronics STS1DNC45

Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 450 V, 8-Pin SO-8 STMicroelectronics STS1DNC45

Добавить в список

Код товара RS: 151-446Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS1DNC45

P.O.A.

Проверить наличие

2500

Доступно в кратности 2500

2500P.O.A.

Добавить в корзину

STMicroelectronics

Dual N

400 мА

450 В

SO-8

SuperMESH

Поверхностный монтаж

8

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 450 V, 8-Pin SO-8 STMicroelectronics STS1DNC45

Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 450 V, 8-Pin SO-8 STMicroelectronics STS1DNC45

Добавить в список

Код товара RS: 151-447Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS1DNC45

P.O.A.

Проверить наличие

10

Доступно в кратности 10

10P.O.A.

Добавить в корзину

STMicroelectronics

Dual N

400 мА

450 В

SO-8

SuperMESH

Поверхностный монтаж

8

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 8-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics SH63N65DM6AG

Dual N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 8-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics SH63N65DM6AG

Добавить в список

Код товара RS: 152-112Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SH63N65DM6AG

P.O.A.

Проверить наличие

200

Доступно в кратности 200

200P.O.A.

Добавить в корзину

STMicroelectronics

N

53 A

650 В

ACEPACK SMIT

MDmesh DM6

Поверхностный монтаж

8

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 8-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics SH63N65DM6AG

Dual N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 8-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics SH63N65DM6AG

Добавить в список

Код товара RS: 152-113Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SH63N65DM6AG

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1

1P.O.A.

Добавить в корзину

STMicroelectronics

N

53 A

650 В

ACEPACK SMIT

MDmesh DM6

Поверхностный монтаж

8

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1

Добавить в список

Код товара RS: 249-3346Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTN9990LVAUMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000

2000P.O.A.

Добавить в корзину

N, P

115 A

40 В

PG-HSOF-7-1

-

Поверхностный монтаж

7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 249-3347Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTN9990LVAUMA1

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1

1P.O.A.

Добавить в корзину

N, P

115 A

40 В

PG-HSOF-7-1

-

Поверхностный монтаж

7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG

Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG

Добавить в список

Код товара RS: 152-181Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGSH80HB65DAG

P.O.A.

Проверить наличие

200

Доступно в кратности 200

200P.O.A.

Добавить в корзину

STMicroelectronics

P

83 A

650 В

ACEPACK SMIT

HB Series

Поверхностный монтаж

9

-

Опускание

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG

Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG

Добавить в список

Код товара RS: 152-183Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGSH80HB65DAG

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1

1P.O.A.

Добавить в корзину

STMicroelectronics

P

83 A

650 В

ACEPACK SMIT

HB Series

Поверхностный монтаж

9

-

Опускание

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 262-5867Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD038N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

10

Доступно в кратности 10

10P.O.A.

Добавить в корзину

N

120 A

60 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

Добавить в список

Код товара RS: 262-5866Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD038N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000

2000P.O.A.

Добавить в корзину

N

120 A

60 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Добавить в список

Код товара RS: 262-5858Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB029N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

800

Доступно в кратности 800

800P.O.A.

Добавить в корзину

N

120 A

60 В

PG-TO263-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 262-5859Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB029N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5

5P.O.A.

Добавить в корзину

N

120 A

60 В

PG-TO263-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1

Добавить в список

Код товара RS: 262-5856Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

800

Доступно в кратности 800

800P.O.A.

Добавить в корзину

N

122 A

40 В

PG-TO263-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 262-5857Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5

5P.O.A.

Добавить в корзину

N

122 A

40 В

PG-TO263-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

Добавить в список

Код товара RS: 262-5864Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD029N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000

2000P.O.A.

Добавить в корзину

N

131 A

40 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 262-5865Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD029N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5

5P.O.A.

Добавить в корзину

N

131 A

40 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 262-5863Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD028N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5

5P.O.A.

Добавить в корзину

N

139 A

60 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

Добавить в список

Код товара RS: 262-5862Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD028N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000

2000P.O.A.

Добавить в корзину

N

139 A

60 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1

Добавить в список

Код товара RS: 262-5860Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000

2000P.O.A.

Добавить в корзину

N

143 A

40 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1

Добавить в список

Также доступно в стандартной производственной упаковке

Код товара RS: 262-5861Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5

5P.O.A.

Добавить в корзину

N

143 A

40 В

PG-TO252-3

-

Поверхностный монтаж

3

-

Поднятие

-

-

-

-

-

-

-

2

-

-

SiC

-

-

-

-

-

-

Показать

20

40

60

1

2

3

4

5

6

...

598