МОП-транзисторы

MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals. It acts very similarly to a switc...

Вы просматриваете 1-20 из 12306 результатов

Фильтр

Сортировка

Фильтр

Сортировка

Diodes Inc Dual Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 60 V, 8-Pin SO-8 ZXMS6008DN8-13
Код товара RS: 216-348Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMS6008DN8-13

P.O.A.

Добавить в корзину
DiodesZetex
N
900 mA
60 В
SO-8
ZXMS6008DN8
Поверхностный монтаж
8
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Пластмасса
-
-
-
-
-
-
Diodes Inc Dual Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 60 V, 8-Pin SO-8 ZXMS6008DN8-13
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 216-349Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMS6008DN8-13

P.O.A.

Добавить в корзину
DiodesZetex
N
900 mA
60 В
SO-8
ZXMS6008DN8
Поверхностный монтаж
8
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Пластмасса
-
-
-
-
-
-
Diodes Inc Dual Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 60 V, 8-Pin SO-8 ZXMS6008DN8Q-13
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 216-350Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMS6008DN8Q-13

P.O.A.

Добавить в корзину
DiodesZetex
N
900 mA
60 В
SO-8
ZXMS6008N8
Поверхностный монтаж
8
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Пластмасса
-
-
-
-
-
-
Diodes Inc Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 60 V, 8-Pin SO-8 ZXMS6008N8-13
Код товара RS: 216-351Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMS6008N8-13

P.O.A.

Добавить в корзину
DiodesZetex
N
900 mA
60 В
SO-8
ZXMS6008DN8
Поверхностный монтаж
8
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
Пластмасса
-
-
-
-
-
-
Diodes Inc Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 60 V, 8-Pin SO-8 ZXMS6008N8-13
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 216-352Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMS6008N8-13

P.O.A.

Добавить в корзину
DiodesZetex
N
900 mA
60 В
SO-8
ZXMS6008DN8
Поверхностный монтаж
8
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
Пластмасса
-
-
-
-
-
-
Infineon 3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4BPSA1
Код товара RS: 277-198Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FZ1200R45HL4BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
P
1.2 kA
4500 V
Tray
FZ1200
Монтаж на шасси
-
-
Опускание
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
Кремний
-
-
-
-
-
-
Infineon 3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4S7BPSA1
Код товара RS: 277-199Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FZ1200R45HL4S7BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
P
1.2 kA
4500 V
Tray
FZ1200
Монтаж на шасси
-
-
Опускание
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
Кремний
-
-
-
-
-
-
Infineon 3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Код товара RS: 284-808Бренд: InfineonПарт-номер производителя: DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N
25 А
1200 V
AG-EASY1B
EasyPACK
-
23
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon 3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 284-809Бренд: InfineonПарт-номер производителя: DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N
25 А
1200 V
AG-EASY1B
EasyPACK
-
23
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual N-Channel MOSFET Depletion Tray FZ1000R65KE4NPSA1
Код товара RS: 277-197Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FZ1000R65KE4NPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
Dual N
-
-
Tray
FZ1000
Винтовой монтаж
-
-
Опускание
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
Кремний
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual N/P-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 BTN9990LVAUMA1
Код товара RS: 249-3346Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTN9990LVAUMA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N, P
115 A
40 В
PG-HSOF-7-1
-
Поверхностный монтаж
7
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual N/P-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 BTN9990LVAUMA1
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 249-3347Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTN9990LVAUMA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N, P
115 A
40 В
PG-HSOF-7-1
-
Поверхностный монтаж
7
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray FF1200XTR17T2P5BPSA1
Код товара RS: 277-191Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF1200XTR17T2P5BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
Dual N
1.2 kA
1700 V
Tray
XHP
Винтовой монтаж
-
-
Опускание
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.8 kA, 1700 V Depletion Tray FF1800XTR17T2P5BPSA1
Код товара RS: 277-192Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF1800XTR17T2P5BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
Dual N
1.8 kA
1700 V
Tray
XHP
Винтовой монтаж
-
-
Опускание
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 720 A, 3300 V Tray FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Код товара RS: 277-195Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF2600UXTR33T2M1BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
Dual N
720 A
3300 V
Tray
XHP
Винтовой монтаж
-
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Код товара RS: 277-194Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF2000UXTR33T2M1BPSA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
Dual N
925 A
3300 V
Tray
XHP
Винтовой монтаж
-
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD038N06NF2SATMA1
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5867Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD038N06NF2SATMA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO252-3
-
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD038N06NF2SATMA1
Код товара RS: 262-5866Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD038N06NF2SATMA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO252-3
-
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
Код товара RS: 262-5858Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB029N06NF2SATMA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO263-3
-
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5859Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB029N06NF2SATMA1

P.O.A.

Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO263-3
-
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
-

...