МОП-транзисторы

MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals. It acts very similarly to a switc...

Вы просматриваете 1-20 из 12117 результатов

Фильтр

Сортировка

Фильтр

Сортировка

Релевантности
Цене (от высокой к низкой)
Цене (от низкой к высокой)
N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD024PBF
N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD024PBF
Добавить в список
Код товара RS: 541-0525Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD024PBF

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
Добавить в корзину
Vishay
N
2,5 А
60 В
HVMDIP
Монтаж на плату в отверстия
4
100 мΩ
Поднятие
-
2V
1,3 Вт
Одинарный
-20 В, +20 В
-
25 нКл при 10 В
6.29мм
1
5мм
Кремний
+175 °C
-
3.37мм
-
-55 °C
-
N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD120PBF
N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD120PBF
Добавить в список
Код товара RS: 541-1691Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD120PBF

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
Добавить в корзину
Vishay
N
1,3 А
100 В
HVMDIP
Монтаж на плату в отверстия
4
270 мΩ
Поднятие
-
2V
1,3 Вт
Одинарный
-20 В, +20 В
-
16 нКл при 10 В
6.29мм
1
5мм
Кремний
+175 °C
-
3.37мм
-
-55 °C
-
Infineon IRFU120NPBF MOSFET
Infineon IRFU120NPBF MOSFET
Добавить в список
Код товара RS: 541-1613Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFU120NPBF

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
9,4 А
100 В
IPAK (TO-251)
Монтаж на плату в отверстия
3
210 мΩ
Поднятие
4V
2V
48 Вт
Одинарный
-20 В, +20 В
HEXFET
25 нКл при 10 В
2.3мм
1
6.6мм
Кремний
+175 °C
-
6.1мм
-
-55 °C
-
N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD210PBF
N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD210PBF
Добавить в список
Код товара RS: 541-0531Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD210PBF

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
Добавить в корзину
Vishay
N
600 мА
200 В
HVMDIP
Монтаж на плату в отверстия
4
1,5 Ω
Поднятие
-
2V
1 Вт
Одинарный
-20 В, +20 В
-
8,2 нКл при 10 В
6.29мм
1
5мм
Кремний
+150 °C
-
3.37мм
-
-55 °C
-
N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF1010EPBF
N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF1010EPBF
Добавить в список
Код товара RS: 541-1714Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF1010EPBF

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
84 А
60 В
TO-220AB
Монтаж на плату в отверстия
3
12 мΩ
Поднятие
4V
2V
200 Вт
Одинарный
-20 В, +20 В
HEXFET
130 нКл при 10 В
4.69мм
1
10.54мм
Кремний
+175 °C
-
8.77мм
-
-55 °C
-
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 249-3347Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTN9990LVAUMA1

P.O.A.

Проверить наличие

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N, P
115 A
40 В
PG-HSOF-7-1
Поверхностный монтаж
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 115 A, 40 V, 7-Pin PG HSOF-7 Infineon BTN9990LVAUMA1
Добавить в список
Код товара RS: 249-3346Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTN9990LVAUMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N, P
115 A
40 В
PG-HSOF-7-1
Поверхностный монтаж
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX1029X,115
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX1029X,115
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 816-0563Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: NX1029X,115

P.O.A.

Проверить наличие

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
Добавить в корзину
Nexperia
N, P
170 мА, 330 мА
50 В, 60 В
SOT-666
Поверхностный монтаж
6
3,6 Ом, 13,5 Ом
Поднятие
2.1V
1.1V
500 мВт
Изолированный
-20 В, +20 В
-
0,26 нКл при 5 В, 0,5 нКл при 4,5 В
1.3мм
2
1.7мм
Кремний
+150 °C
-
0.6мм
-
-55 °C
-
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115
Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 816-0567Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: NX3008CBKV,115

P.O.A.

Проверить наличие

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
Добавить в корзину
Nexperia
N, P
220 мА, 400 мА
30 В
SOT-666
Поверхностный монтаж
6
2,8 Ом, 7,8 Ом
Поднятие
1.1V
0.6V
500 мВт
Изолированный
-8 В, +8 В
-
0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при 4,5 В
1.3мм
2
1.7мм
Кремний
+150 °C
-
0.6мм
-
-55 °C
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Добавить в список
Код товара RS: 262-5866Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD038N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5867Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD038N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Добавить в список
Код товара RS: 262-5858Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB029N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO263-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5859Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB029N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
120 A
60 В
PG-TO263-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Добавить в список
Код товара RS: 262-5856Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
122 A
40 В
PG-TO263-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5857Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
122 A
40 В
PG-TO263-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5865Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD029N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
131 A
40 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Добавить в список
Код товара RS: 262-5864Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD029N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
131 A
40 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Добавить в список
Код товара RS: 262-5862Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD028N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
139 A
60 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5863Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD028N06NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
139 A
60 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-
Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1
Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1
Добавить в список
Также доступно в стандартной производственной упаковке
Код товара RS: 262-5861Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD023N04NF2SATMA1

P.O.A.

Проверить наличие

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
Добавить в корзину
Infineon
N
143 A
40 В
PG-TO252-3
Поверхностный монтаж
3
-
Поднятие
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
SiC
-
-
-
-
-
-

...