Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 676,25
тг 67,05 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 1 676,25
тг 67,05 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 3100 | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
3125 - 6225 | тг 13,41 | тг 335,25 |
6250 - 12475 | тг 13,41 | тг 335,25 |
12500 - 24975 | тг 13,41 | тг 335,25 |
25000+ | тг 13,41 | тг 335,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре