onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G

Код товара RS: 545-2529PБренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS138LT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor BSS138LT3G MOSFET
тг 67,05Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor BSS138LT3G MOSFET
тг 67,05Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor BSS138LT3G MOSFET
тг 67,05Each (In a Pack of 25) (ex VAT)