onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 564,50
тг 62,58 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 1 564,50
тг 62,58 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
| 125 - 475 | тг 26,82 | тг 670,50 |
| 500 - 1225 | тг 26,82 | тг 670,50 |
| 1250 - 2475 | тг 17,88 | тг 447,00 |
| 2500+ | тг 17,88 | тг 447,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor