Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Код товара RS: 167-970Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS138N
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

230 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 10 В

Высота

1мм

Ширина

1.3мм

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GБренд: onsemi
тг 62,58Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 100
1P.O.A.
101P.O.A.
201P.O.A.
301P.O.A.
401P.O.A.
501P.O.A.
601P.O.A.
701P.O.A.
801P.O.A.
901P.O.A.
1001P.O.A.
1101P.O.A.
1201P.O.A.
1301P.O.A.
1401P.O.A.

P.O.A.

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 100
1P.O.A.
101P.O.A.
201P.O.A.
301P.O.A.
401P.O.A.
501P.O.A.
601P.O.A.
701P.O.A.
801P.O.A.
901P.O.A.
1001P.O.A.
1101P.O.A.
1201P.O.A.
1301P.O.A.
1401P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GБренд: onsemi
тг 62,58Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

230 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 10 В

Высота

1мм

Ширина

1.3мм

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GБренд: onsemi
тг 62,58Each (In a Pack of 25) (ex VAT)