Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Серия
STW
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
118nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
480W
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
UL
Длина
40.92мм
Материал каски/сварочной маски
5.1мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Лоток)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Серия
STW
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
118nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
480W
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
UL
Длина
40.92мм
Материал каски/сварочной маски
5.1мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
