Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
710V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
600mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
15nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.17мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
710V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
600mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
15nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.17мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
