Vishay SI4800BDY-T1-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-3351PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI4800BDY-T1-E3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

18,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI4800BDY-T1-E3 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI4800BDY-T1-E3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

18,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)