Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
18,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Высота
1.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
18,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Высота
1.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре