Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,5 нКл при 10 В
Высота
1.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,5 нКл при 10 В
Высота
1.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor