Vishay SI4511DY-T1-GE3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А, 7,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мОм, 50 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, -12 В, +12 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,5 нКл при 10 В, 17 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
тг 4 470,00
тг 447,00 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 4 470,00
тг 447,00 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 10 - 90 | тг 447,00 | тг 4 470,00 |
| 100 - 490 | тг 397,83 | тг 3 978,30 |
| 500 - 1490 | тг 362,07 | тг 3 620,70 |
| 1500 - 2490 | тг 330,78 | тг 3 307,80 |
| 2500+ | тг 303,96 | тг 3 039,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А, 7,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мОм, 50 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, -12 В, +12 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,5 нКл при 10 В, 17 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China