Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А, 6 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ, 140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,78 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 10 В, 7,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 860,80
тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 860,80
тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 143,04 | тг 2 860,80 |
| 100 - 240 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 260 - 980 | тг 116,22 | тг 2 324,40 |
| 1000 - 2480 | тг 107,28 | тг 2 145,60 |
| 2500+ | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А, 6 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ, 140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,78 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 10 В, 7,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor