Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET

Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
19 Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 251,60
тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 251,60
тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
| 50 - 240 | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
| 250 - 990 | тг 93,87 | тг 938,70 |
| 1000 - 2990 | тг 62,58 | тг 625,80 |
| 3000+ | тг 58,11 | тг 581,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
19 Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре