Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3

Код товара RS: 919-4220Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2333DDS-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

19 Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET
тг 125,16Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

P.O.A.

Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3

P.O.A.

Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET
тг 125,16Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

19 Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET
тг 125,16Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)