Vishay SI2333CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,1 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В, 9 нКл при 2,5 В
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 50 - 90 | тг 165,39 | тг 1 653,90 |
| 100 - 240 | тг 151,98 | тг 1 519,80 |
| 250 - 490 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
| 500+ | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,1 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В, 9 нКл при 2,5 В
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor