Vishay P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3

Код товара RS: 710-3241Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2303CDS-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 4,5 В, 4 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2303BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 102,81Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 413,80

тг 120,69 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
Select packaging type

тг 2 413,80

тг 120,69 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 120,69тг 2 413,80
100 - 180тг 98,34тг 1 966,80
200 - 380тг 98,34тг 1 966,80
400 - 980тг 80,46тг 1 609,20
1000+тг 49,17тг 983,40
Вас может заинтересовать
Vishay SI2303BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 102,81Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 4,5 В, 4 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2303BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 102,81Each (In a Pack of 20) (ex VAT)