Vishay SI2303BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 710-4667Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2303BDS-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,3 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
тг 120,69Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 056,20

тг 102,81 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay SI2303BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

тг 2 056,20

тг 102,81 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay SI2303BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 102,81тг 2 056,20
100 - 180тг 84,93тг 1 698,60
200 - 380тг 84,93тг 1 698,60
400 - 980тг 71,52тг 1 430,40
1000+тг 44,70тг 894,00
Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
тг 120,69Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,3 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
тг 120,69Each (In a Pack of 20) (ex VAT)