Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR110PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,3 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 254,79 |
| 25 - 99 | тг 205,62 |
| 100 - 249 | тг 196,68 |
| 250 - 499 | тг 192,21 |
| 500+ | тг 183,27 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,3 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor