N-channel MOSFET,IRFR110 4.3A 100V 75pcs
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,3 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,3 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм