Vishay IRF840APBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
850 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 545,34
тг 545,34 Each (ex VAT)
1
тг 545,34
тг 545,34 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 545,34 |
| 25 - 99 | тг 491,70 |
| 100 - 249 | тг 482,76 |
| 250 - 499 | тг 469,35 |
| 500+ | тг 460,41 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
850 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor