Toshiba 2SK3561(Q) МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 601-2021Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SK3561(Q)
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

SC-67

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Ширина

4.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

8.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Вас может заинтересовать
Vishay IRF840APBF MOSFET
тг 545,34Each (ex VAT)

P.O.A.

Toshiba 2SK3561(Q) МОП-транзистор (MOSFET)

P.O.A.

Toshiba 2SK3561(Q) МОП-транзистор (MOSFET)

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Vishay IRF840APBF MOSFET
тг 545,34Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

SC-67

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Ширина

4.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

8.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Вас может заинтересовать
Vishay IRF840APBF MOSFET
тг 545,34Each (ex VAT)