Toshiba TPCA8019-H(TE12L,Q,M) МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 415-392Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPCA8019-H(TE12L,Q,M)
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOP Advanced

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

66 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.95мм

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3Бренд: Vishay
тг 429,12Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TPCA8019-H(TE12L,Q,M) МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

P.O.A.

Toshiba TPCA8019-H(TE12L,Q,M) МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3Бренд: Vishay
тг 429,12Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOP Advanced

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

66 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.95мм

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3Бренд: Vishay
тг 429,12Each (In a Pack of 10) (ex VAT)