Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
5,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
51 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 291,20
тг 429,12 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 4 291,20
тг 429,12 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 90 | тг 429,12 | тг 4 291,20 |
100 - 490 | тг 424,65 | тг 4 246,50 |
500 - 1490 | тг 415,71 | тг 4 157,10 |
1500 - 2490 | тг 411,24 | тг 4 112,40 |
2500+ | тг 348,66 | тг 3 486,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
5,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
51 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре