Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3

Код товара RS: 812-3195Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4124DY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

5,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 291,20

тг 429,12 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Select packaging type

тг 4 291,20

тг 429,12 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 429,12тг 4 291,20
100 - 490тг 424,65тг 4 246,50
500 - 1490тг 415,71тг 4 157,10
1500 - 2490тг 411,24тг 4 112,40
2500+тг 348,66тг 3 486,60
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

5,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать