Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

98 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.45мм

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Страна происхождения

China