N-Channel MOSFET, 60 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK32E12N1,S1X(S

Код товара RS: 827-6191PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK32E12N1,S1X(S
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

98 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFET
Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFETБренд: Toshiba
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 60 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK32E12N1,S1X(S
Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 60 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK32E12N1,S1X(S

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFET
Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFETБренд: Toshiba
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

98 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFET
Toshiba TK32E12N1,S1X(S MOSFETБренд: Toshiba
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)