STMicroelectronics STY139N65M5 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
130 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
Max247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
625 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
363 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 9 838,47
тг 9 838,47 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 9 838,47
тг 9 838,47 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 29 | тг 9 838,47 |
| 30 - 59 | тг 8 372,31 |
| 60 - 149 | тг 8 180,10 |
| 150 - 299 | тг 7 773,33 |
| 300+ | тг 7 129,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
130 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
Max247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
625 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
363 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.