STMicroelectronics STY139N65M5 MOSFET

Код товара RS: 783-3028Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STY139N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

130A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

17mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

625W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

363nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.3 mm

Материал каски/сварочной маски

20.3мм

Длина

15.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 9 838,47

тг 9 838,47 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STY139N65M5 MOSFET
Select packaging type

тг 9 838,47

тг 9 838,47 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STY139N65M5 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицы
1 - 29тг 9 838,47
30 - 59тг 8 372,31
60 - 149тг 8 180,10
150 - 299тг 7 773,33
300+тг 7 129,65

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

130A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

17mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

625W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

363nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.3 mm

Материал каски/сварочной маски

20.3мм

Длина

15.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics