Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
68A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
ST
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.036Ом
Номер канала
Опускание
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
450W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
125nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.1 mm
Материал каски/сварочной маски
41.2мм
Длина
15.9мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
68A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
ST
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.036Ом
Номер канала
Опускание
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
450W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
125nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.1 mm
Материал каски/сварочной маски
41.2мм
Длина
15.9мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
