Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
66A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Серия
MDmesh DM2
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
42mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
446W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
121nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
66A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Серия
MDmesh DM2
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
42mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
446W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
121nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
