Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
72A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-247-4
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
39mΩ
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
72A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-247-4
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
39mΩ
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.
