STMicroelectronics STW56N60DM2 MOSFET

Код товара RS: 111-6485Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW56N60DM2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

50A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh DM2

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

60mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

360W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Прямое напряжение (Vf)

-5.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

90nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STW56N60DM2 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STW56N60DM2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

50A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh DM2

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

60mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

360W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Прямое напряжение (Vf)

-5.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

90nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics