STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 783-2986PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW45N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

78mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

210W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

82nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

78mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

210W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

82nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics