STMicroelectronics STW42N65M5 MOSFET

Код товара RS: 687-5223Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW42N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

33A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

79mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

100nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 228,62

тг 4 228,62 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW42N65M5 MOSFET
Select packaging type

тг 4 228,62

тг 4 228,62 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW42N65M5 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 4 228,62
5 - 9тг 4 143,69
10 - 24тг 3 777,15
25 - 49тг 3 486,60
50+тг 3 263,10

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

33A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

79mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

100nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics