STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34N65M5

Код товара RS: 783-2996Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW34N65M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

28A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

110mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

62.5nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 696,69

тг 3 696,69 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34N65M5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 696,69
2тг 7 393,38
3тг 11 090,07
4тг 14 786,76
5тг 18 483,45
6тг 22 180,14
7тг 25 876,83
8тг 29 573,52
9тг 33 270,21
10тг 36 966,90
11тг 40 663,59
12тг 44 360,28
13тг 48 056,97
14тг 51 753,66
15тг 55 450,35

тг 3 696,69

тг 3 696,69 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 696,69
2тг 7 393,38
3тг 11 090,07
4тг 14 786,76
5тг 18 483,45
6тг 22 180,14
7тг 25 876,83
8тг 29 573,52
9тг 33 270,21
10тг 36 966,90
11тг 40 663,59
12тг 44 360,28
13тг 48 056,97
14тг 51 753,66
15тг 55 450,35

КоличествоЦена единицы
1 - 29тг 3 696,69
30 - 59тг 3 044,07
60 - 149тг 2 485,32
150 - 299тг 2 208,18
300+тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

28A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

110mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

62.5nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics