Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SO-8
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
21mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2.5W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
25nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
16 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.65мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SO-8
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
21mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2.5W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
25nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
16 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.65мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.