STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L

Код товара RS: 795-8868PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS5NF60L
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOIC

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

55mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.5W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

17nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.65мм

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOIC

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

55mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.5W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

17nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.65мм

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics