STMicroelectronics STS4DNF60L MOSFET

Код товара RS: 485-8358PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS4DNF60L
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

4A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOIC

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

55mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

15 V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

15nC

Минимальная рабочая температура

150°C

Максимальная рабочая температура

-55°C

Конфигурация транзистора

Изолированный

Ширина

4 mm

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

1.25мм

Количество элементов на ИС

2

Distrelec Product Id

304-42-969

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STS4DNF60L MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STS4DNF60L MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

4A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOIC

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

55mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

15 V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

15nC

Минимальная рабочая температура

150°C

Максимальная рабочая температура

-55°C

Конфигурация транзистора

Изолированный

Ширина

4 mm

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

1.25мм

Количество элементов на ИС

2

Distrelec Product Id

304-42-969

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics