Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
4A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOIC
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
55mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2W
Минимальная рабочая температура
150°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
15nC
Максимальная рабочая температура
-55°C
Конфигурация транзистора
Изолированный
Материал каски/сварочной маски
1.25мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Количество элементов на ИС
2
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 950,20
тг 590,04 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 950,20
тг 590,04 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 590,04 | тг 2 950,20 |
| 25 - 95 | тг 482,76 | тг 2 413,80 |
| 100 - 245 | тг 393,36 | тг 1 966,80 |
| 250 - 495 | тг 384,42 | тг 1 922,10 |
| 500+ | тг 335,25 | тг 1 676,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
4A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOIC
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
55mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2W
Минимальная рабочая температура
150°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
15nC
Максимальная рабочая температура
-55°C
Конфигурация транзистора
Изолированный
Материал каски/сварочной маски
1.25мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Количество элементов на ИС
2
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
