STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

Код товара RS: 876-5702Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR2P3LLH6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Корпус

SOT-23

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

90mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6nC

Прямое напряжение (Vf)

-1.1V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.3мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 917,00

тг 98,34 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Select packaging type

тг 4 917,00

тг 98,34 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 98,34тг 4 917,00
250 - 700тг 84,93тг 4 246,50
750 - 1450тг 80,46тг 4 023,00
1500 - 2950тг 49,17тг 2 458,50
3000+тг 44,70тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Корпус

SOT-23

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

90mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6nC

Прямое напряжение (Vf)

-1.1V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.3мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics