STMicroelectronics STP9NK50ZFP MOSFET

Код товара RS: 486-2379Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP9NK50ZFP
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 151,35

тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP9NK50ZFP MOSFET
Select packaging type

тг 3 151,35

тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP9NK50ZFP MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 630,27тг 3 151,35
25 - 45тг 522,99тг 2 614,95
50 - 95тг 514,05тг 2 570,25
100 - 245тг 415,71тг 2 078,55
250+тг 406,77тг 2 033,85

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics