Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
9A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
950V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.25Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
13nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
90W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
9A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
950V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.25Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
13nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
90W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.
