STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 3.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP5N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
4.6мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.75мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 3 151,35
тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 151,35
тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 630,27 | тг 3 151,35 |
| 25 - 95 | тг 505,11 | тг 2 525,55 |
| 100 - 245 | тг 411,24 | тг 2 056,20 |
| 250 - 495 | тг 402,30 | тг 2 011,50 |
| 500+ | тг 353,13 | тг 1 765,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
4.6мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.75мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).