STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP57N65M5

Код товара RS: 783-3009Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP57N65M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

42A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-220

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

63mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

98nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 492,35

тг 4 492,35 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP57N65M5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 492,35
2тг 8 984,70
3тг 13 477,05
4тг 17 969,40
5тг 22 461,75
6тг 26 954,10
7тг 31 446,45
8тг 35 938,80
9тг 40 431,15
10тг 44 923,50
11тг 49 415,85
12тг 53 908,20
13тг 58 400,55
14тг 62 892,90
15тг 67 385,25

тг 4 492,35

тг 4 492,35 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP57N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 492,35
2тг 8 984,70
3тг 13 477,05
4тг 17 969,40
5тг 22 461,75
6тг 26 954,10
7тг 31 446,45
8тг 35 938,80
9тг 40 431,15
10тг 44 923,50
11тг 49 415,85
12тг 53 908,20
13тг 58 400,55
14тг 62 892,90
15тг 67 385,25

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 4 492,35
25 - 49тг 3 777,15
50 - 249тг 3 535,77
250 - 499тг 3 169,23
500+тг 2 959,14

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

42A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-220

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

63mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

98nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics