STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V, 3-Pin TO-220 STP57N65M5

Код товара RS: 783-3009Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP57N65M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.75мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 492,35

тг 4 492,35 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V, 3-Pin TO-220 STP57N65M5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 492,35
2тг 8 984,70
3тг 13 477,05
4тг 17 969,40
5тг 22 461,75
6тг 26 954,10
7тг 31 446,45
8тг 35 938,80
9тг 40 431,15
10тг 44 923,50
11тг 49 415,85
12тг 53 908,20
13тг 58 400,55
14тг 62 892,90
15тг 67 385,25

тг 4 492,35

тг 4 492,35 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V, 3-Pin TO-220 STP57N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 492,35
2тг 8 984,70
3тг 13 477,05
4тг 17 969,40
5тг 22 461,75
6тг 26 954,10
7тг 31 446,45
8тг 35 938,80
9тг 40 431,15
10тг 44 923,50
11тг 49 415,85
12тг 53 908,20
13тг 58 400,55
14тг 62 892,90
15тг 67 385,25

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 4 492,35
25 - 49тг 3 777,15
50 - 249тг 3 535,77
250 - 499тг 3 169,23
500+тг 2 959,14

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.75мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics