Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
36A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-LL
Серия
STP50N60DM6
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
80mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
4.4мм
Длина
28.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
10 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
36A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-LL
Серия
STP50N60DM6
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
80mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
4.4мм
Длина
28.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
10 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
