Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
34 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh DM2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
93 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
10.4мм
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
34 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh DM2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
93 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
10.4мм
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре