Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модули МОП-транзистора
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
25A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220FP
Серия
ST
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.115Ом
Номер канала
Опускание
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модули МОП-транзистора
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
25A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220FP
Серия
ST
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.115Ом
Номер канала
Опускание
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.