STMicroelectronics STP260N6F6 MOSFET

Код товара RS: 760-9673Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP260N6F6
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

183 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 1 470,63

тг 1 470,63 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STP260N6F6 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 470,63
2тг 2 941,26
3тг 4 411,89
4тг 5 882,52
5тг 7 353,15
6тг 8 823,78
7тг 10 294,41
8тг 11 765,04
9тг 13 235,67
10тг 14 661,60
11тг 16 127,76
12тг 17 593,92
13тг 19 060,08
14тг 20 526,24
15тг 21 992,40

тг 1 470,63

тг 1 470,63 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STP260N6F6 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 470,63
2тг 2 941,26
3тг 4 411,89
4тг 5 882,52
5тг 7 353,15
6тг 8 823,78
7тг 10 294,41
8тг 11 765,04
9тг 13 235,67
10тг 14 661,60
11тг 16 127,76
12тг 17 593,92
13тг 19 060,08
14тг 20 526,24
15тг 21 992,40

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 470,63
10 - 49тг 1 466,16
50 - 99тг 1 296,30
100 - 249тг 1 153,26
250+тг 777,78

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

183 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics