STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP16N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
299 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 422,74
тг 1 211,37 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 422,74
тг 1 211,37 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 211,37 | тг 2 422,74 |
| 10 - 18 | тг 1 211,37 | тг 2 422,74 |
| 20 - 48 | тг 1 175,61 | тг 2 351,22 |
| 50 - 98 | тг 1 139,85 | тг 2 279,70 |
| 100+ | тг 1 037,04 | тг 2 074,08 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
299 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.